H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/4763 (2006.01) H01L 39/24 (2006.01)
Patent
CA 2065625
A process for patterning layered thin films comprising a bottom oxide superconductor (1) layer deposited on a substrate (3) and another thin film (2) deposited on the bottom superconductor layer and consisting of insulator, ordinary conductor or oxide superconductor having a different crystal orientation from the bottom superconductor layer. The bottom superconductor layer (1) is subjecting to heat-treatment before another thin film (2) is deposited thereon. The heat-treatment can be carried out under a first condition in ultra high-vacuum at a temperature which is lower than the oxygen-trap temperature (Ttrap) at which oxygen can enter into the oxide superconductor but is higher than a temperature which is lower by 100 °C than the oxygen-trap temperature (Ttrap - 100 °C) or under a second condition in an atmosphere containing oxygen of high purity at a temperature which is higher than the oxygen-trap temperature (Ttrap) but is lower than a film forming temperature of the first thin film of oxide superconductor.
L'invention est un processus de configuration de films à couches minces multiples constitués d'une couche inférieur d'oxyde supraconducteur (1) déposée sur un substrat (3) et d'une autre couche mince (2) déposée sur la couche supraconductrice inférieure et constituée d'un isolant, d'un conducteur ordinaire ou d'un oxyde supraconducteur ayant une orientation cristalline différente de celle de la couche supraconductrice inférieure. La couche mince (2) est déposée sur la couche supraconductrice inférieure (1) après un traitement thermique de cette dernière. Le traitement thermique peut être effectué soit dans un vide très poussé à une température inférieure à la température du piège à oxygène (Ttrap) à laquelle l'oxygène peut pénétrer dans l'oxyde supraconducteur, mais plus élevée qu'une température inférieure de 100º C à la température du piège à oxygène (Ttrap - 100º C), soit dans une atmosphère contenant de l'oxygène très pur à une température supérieure à celle du piège à oxygène (Ttrap), mais inférieure à la température de formation de la première couche mince d'oxyde supraconducteur.
Iiyama Michitomo
Inada Hiroshi
Bereskin & Parr
Sumitomo Electric Industries Ltd.
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