Semiconductor device and method of manufacturing the same

Details Semiconductor device and method of manufacturing the same Semiconductor device and method of manufacturing the same

H - Electricity

01

L

H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/338 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01) H01L 29/417 (2006.01) H01L 29/812 (2006.01)

Patent

CA 2721668

An MOSFET (1) is a semiconductor device which can reduce the number of steps in manufacturing process and improve an integration degree by providing an electrode which can be in contact with both a p-type SiC region and an n-type SiC region while sufficiently suppressing contact resistance of the both regions. The MOSFET is provided with an n+ SiC substrate (11); an n- SiC layer (12) formed on the n+ SiC substrate (11); and a source electrode (22) arranged in contact with the n- SiC layer (12). The n- SiC layer (12) includes an n+ source region (14) of n- conductivity type. The source electrode (22) is arranged in con-tact with the n+ source region (14), and includes a source contact electrode (16) containing Ti, Al, and Si.

L'invention porte sur un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET) (1) qui est un dispositif à semi-conducteur qui peut réduire le nombre d'étapes du processus de fabrication et améliorer le degré d'intégration en utilisant une électrode qui peut être en contact à la fois avec une région SiC de type p et une région SiC de type n tout en supprimant suffisamment la résistance de contact des deux régions. Le MOSFET est pourvu d'un substrat SiCn+ (11) ; d'une couche SiCn- (12) formée sur le substrat SiCn+ (11), et d'une électrode de source (22) agencée en contact avec la couche SiCn- (12). La couche SiCn- (12) comprend une région de source n+ (14) de type de conductivité n. L'électrode de source (22) est agencée en contact avec la région de source n+ (14), et comprend une électrode de contact de source (16) contenant Ti, Al et Si.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Semiconductor device and method of manufacturing the same does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Semiconductor device and method of manufacturing the same, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Semiconductor device and method of manufacturing the same will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-1352089