Heteroatom-containing diamondoid transistors

Details Heteroatom-containing diamondoid transistors Heteroatom-containing diamondoid transistors

C - Chemistry, Metallurgy

07

F

C07F 5/02 (2006.01) C07D 471/08 (2006.01) C07F 5/06 (2006.01) C07F 9/6564 (2006.01) C07F 9/80 (2006.01) H01L 21/04 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01) H01L 51/40 (2006.01)

Patent

CA 2492704

Novel heterodiamondoids are disclosed. These heterodiamondoids are diamondoids that include heteroatoms in the diamond lattice structure. The heteroatoms may be either electron donating, such that an n-type heterodiamondoid is created, or electron withdrawing, such that a p-type heterodiamondoid is made. Bulk materials may be fabricated from these heterodiamondoids, and the techniques involved include chemical vapor deposition, polymerization, and crystal aggregation. Junctions may be made from the p-type and n-type heterodiamondoid based materials, and microelectronic devices may be made that utilize these junctions. The devices include diodes, bipolar junction transistors, and field effect transistors.

L'invention concerne des nouveaux hétérodiamantoïdes qui sont des diamantoïdes qui contiennent des hétéroatomes dans la structure du réseau en diamant. Les hétéroatomes peuvent être donneurs d'électrons, si bien qu'un hétérodiamantoïde du type n est créé, ou un suppresseur d'électrons, si bien qu'un hétérodiamantoïde du type p est créé. Des matériaux massifs peuvent être fabriqués à partir de ces hétérodiamantoïdes, et les techniques utilisées sont, entre autres, le dépôt chimique en phase vapeur, la polymérisation et l'agrégation cristalline. Des jonctions peuvent être fabriquées à partir des matériaux à base d'hétérodiamants des types n et p et des dispositifs micro-électroniques utilisant ces jonctions peuvent être fabriqués. Lesdits dispositifs sont, entre autres, des diodes, des transistors bipolaires à jonctions et des transistors à effet de champ.

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