H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01) H01L 29/778 (2006.01) H01S 5/00 (2006.01)
Patent
CA 2554003
A method of forming a high-power, high-frequency device in wide bandgap semiconductor materials with reduced junction temperature, higher power density during operation and improved reliability at a rated power density is disclosed, along with resulting semiconductor structures and devices. The method includes adding a layer of diamond to a silicon carbide wafer to increase the thermal conductivity of the resulting composite wafer, thereafter reducing the thickness of the silicon carbide portion of the composite wafer while retaining sufficient thickness of silicon carbide to support epitaxial growth thereon, preparing the silicon carbide surface of the composite wafer for epitaxial growth thereon, and adding a Group III nitride heterostructure to the prepared silicon carbide face of the wafer.
Méthode de formation d'un dispositif de haute puissance et de haute fréquence dans des matériaux semi-conducteurs à large bande interdite avec une température réduite de jonction, une plus haute densité de puissance pendant son fonctionnement et une meilleure fiabilité à une densité nominale de puissance, ainsi que structures et dispositifs semi-conducteurs ainsi obtenus. Selon cette méthode, on ajoute une couche de diamant à une plaquette en carbure de silicium afin d'augmenter la conductivité thermique de la plaquette composite ainsi obtenue, puis on réduit l'épaisseur de la partie en carbure de silicium de la plaquette composite tout en retenant une épaisseur suffisante en carbure de silicium pour porter une couche produite par croissance épitaxiale, on prépare la surface en carbure de silicium de la plaquette composite pour recevoir une couche produite par croissance épitaxiale, puis on ajoute une hétérostructure en nitrure de groupe III à la face ainsi préparée en carbure de silicium de la plaquette.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1397104