Short wavelength pulsed laser scanner

Details Short wavelength pulsed laser scanner Short wavelength pulsed laser scanner

G - Physics

02

B

G02B 26/10 (2006.01) B23K 26/06 (2006.01) B23K 26/08 (2006.01) G02B 26/12 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) H01S 3/10 (2006.01) H04N 1/04 (2006.01) H04N 1/40 (2006.01)

Patent

CA 2244712

A laser pattern generator for semiconductor mask making or direct writing of features on a semiconductor wafer uses a pulsed laser source (40) to achieve high power and short wavelength (e.g. 263nm or less) radiation, for writing very small-sized features. The laser pulse frequency is either synchronous or asynchronous to the writing grid of the features being written, in various embodiments.

L'invention concerne un générateur de motifs laser conçu pour la fabrication de masques semi-conducteurs ou pour l'écriture directe de détails sur une plaquette en semi-conducteur. Ce générateur utilise une source à laser pulsé (40) afin d'atteindre un rayonnement de forte puissance et de courte longueur d'onde (par exemple inférieure ou égale à 263 nm.) et de pouvoir ainsi écrire des détails de très petite taille. Dans différents modes de réalisation, la fréquence d'impulsion laser est soit synchrone, soit asynchrone avec la grille d'écriture avec la grille des détails en cours d'écriture.

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