G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/22 (2006.01)
Patent
CA 2309748
A method for reading/writing data only from/in a desired memory cell of a semiconductor memory comprising ferroelectric memory (FETs) arranged in a matrix while protecting the data against a disturb voltage applied to a nonselected cell without providing a select element for each cell. The semiconductor memory comprising a plurality of memory cells (Q1-Q4) arranged in a matrix, each comprising a ferroelectric memory (FET) having a ferroelectric layer on the gate electrode side, is characterized in that a voltage whose polarity is opposite to that of a data read/write voltage is applied, and then a write/read voltage is applied when data is written/read in/from the memory cell (Q1-Q4).
Cette invention a trait à une méthode permettant de lire des données ou de les écrire et ce, uniquement dans la cellule mémoire souhaitée d'une mémoire à semi-conducteurs comportant des transistors à effet de champ (TEC) ferroélectriques de mémoire agencés en matrice et ceci, tout en protégeant les données contre une tension perturbatrice appliquée à une cellule non sélectionnée sans fournir un élément de sélection pour chaque cellule. Cette mémoire à semi-conducteurs, comportant plusieurs cellules mémoire (Q1-Q4) agencées en matrice, comprenant chacune un TEC ferroélectrique de mémoire du coté de l'électrode de gâchette, se caractérise par le fait qu'il est appliqué une tension dont la polarité est opposée à celle de la tension de lecture/écriture des données et qu'il est ensuite appliqué une tension de lecture/écriture des données lorsqu'on lit ou qu'on écrit dans la cellule mémoire (Q1-Q4).
Borden Ladner Gervais Llp
Rohm Co. Ltd.
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1431847