Gate-coupled structure for enhanced esd input/output pad...

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H - Electricity

01

L

H01L 23/60 (2006.01) H02H 9/00 (2006.01)

Patent

CA 2223199

An electrostatic discharge circuit comprising a static discharge input node, a first NMOS FET having its drain connected to the input node and its source and substrate connected to Vss, a first CMOS inverter comprised of a first PMOS FET and a second NMOS FET having the source and substrate of the first PMOS FET connected to the input node, the drain of the first PMOS FET connected at a junction to the drain of the second NMOS FET, and the source of the second NMOS FET connected to Vss, and the gates of the first PMOS FET and of the second NMOS FET connected to Vdd and the junction connected to the gate of the first NMOS FET.

Circuit de décharge électrostatique constitué des éléments suivants : un noeud d'entrée de décharge d'électricité statique; un premier MOSFET à canal N dont le drain est relié au noeud d'entrée et dont la source et le substrat sont reliés à Mss; un premier inverseur CMOS constitué d'un premier MOSFET à canal P et d'un deuxième MOSFET à canal N, la source et le substrat du premier MOSFET à canal P étant reliés au premier noeud d'entrée, le drain du premier MOSFET à canal P étant relié à la jonction du drain du deuxième MOSFET à canal N, la source du deuxième MOSFET à canal N étant reliée à Vss, les grilles du premier MOSFET à canal P et du deuxième MOSFET à canal N étant reliées à Vdd et la jonction étant reliée à la grille du premier MOSFET à canal N.

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