Thin film forming process

Details Thin film forming process Thin film forming process

H - Electricity

01

L

H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/762 (2006.01)

Patent

CA 2232796

A process for producing an SOI substrate is disclosed which is useful for saving resources and lowering production cost. Further, a process for producing a photoelectric conversion device such as a solar cell is disclosed which can successfully separate a substrate by a porous Si layer, does not require a strong adhesion between a substrate and a jig, and can save resources and lower production cost. In a substrate having a porous layer on a nonporous layer and further having on the porous layer a layer small in porosity, the nonporous layer and the layer small in porosity are separated by the porous layer to form a thin film. A metal wire is wound around a side surface of the substrate, and a current is made to flow into the metal wire to generate a heat from the metal wire and transfer the heat preferentially to the porous layer, thus conducting the separation. The separated substrate is used for producing an SOI substrate and the separated nonporous Si layer is reutilized in a process of producing an SOI substrate.

L'invention a trait à un procédé de production d'un substrat SOI (semiconducteur sur isolant) qui est utile pour économiser des ressources et réduire les coûts de production. De plus, l'invention décrit également un procédé de production d'un dispositif de conversion photoélectrique comme une cellule solaire, qui peut très bien séparer un substrat d'une couche Si poreuse et qui ne nécessite pas une forte adhérence entre le substrat et un support. Ce procédé permet d'économiser des ressources et de réduire les coûts de production. Dans un substrat comprenant une couche poreuse sur une couche non poreuse et comprenant en outre sur la couche poreuse une couche d'une faible porosité, cette dernière est séparée de la couche non poreuse par la couche poreuse afin de former une mince couche. Un fil de métal est enroulé autour d'une surface latérale du substrat, puis un courant passe dans le fil pour produire de la chaleur et transférer cette chaleur de préférence à la couche poreuse, ce qui provoque ainsi la séparation. Le substrat séparé est utilisé pour produire un substrat SOI et la couche SI non poreuse est réutilisée dans le procédé de production d'un substrat SOI.

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