A semiconductor memory card access apparatus, a...

G - Physics – 06 – F

Patent

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Details

G06F 12/00 (2006.01) G06F 3/06 (2006.01) G06F 12/14 (2006.01) G11C 7/22 (2006.01) G11C 11/34 (2006.01)

Patent

CA 2355082

A predetermined number of erasable blocks positioned at a start of a volume area in a semiconductor memory card include volume management information. A user area following the volume management information includes a plurality of clusters. A data length NOM of an area from a master boot record and partition table sector to a partition boot sector is determined so that the plurality of clusters in the user area are not arranged so as to straddle erasable block boundaries. Since cluster boundaries and erasable block boundaries in the user area are aligned, there is no need to perform wasteful processing in which two erasable blocks are erased to rewrite one cluster.

Un nombre prédéfini de blocs effaçables positionnés au début d'une zone de volume dans une carte à mémoire à semi-conducteurs comprend des informations de gestion du volume. Une zone utilisateur faisant suite aux informations de gestion du volume comprend une pluralité de grappes. Un nombre de bits entre bits d'encadrement NOM d'une zone située entre le secteur de la table d'enregistrement et de séparation des initialisations mères et le secteur des initialisations de séparation est déterminé de sorte que les grappes de la zone utilisateur ne soient pas disposées de manière à chevaucher les limites des blocs effaçables. Etant donné que les limites des grappes et que les limites des blocs effaçables dans la zone d'utilisateur sont alignées, il est inutile d'effectuer un traitement ruineux dans lequel deux blocs effaçables sont effacés pour réécrire une grappe.

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