Lateral junction type field effect transistor

Details Lateral junction type field effect transistor Lateral junction type field effect transistor

H - Electricity

01

L

H01L 29/808 (2006.01) H01L 29/772 (2006.01)

Patent

CA 2420821

A lateral JFET has a basic structure including an n-type semiconductor layer (3) formed of an n-type impurity region and a p-type semiconductor layer formed of a p-type impurity region on the n-type semiconductor layer (3). Moreover, in the p-type semiconductor layer, there are provided a p+-type gate region layer (7) extending into the n-type semiconductor layer (3) and containing p-type impurities of an impurity concentration higher than that of the n-type semiconductor layer (3) and an n+-type drain region layer (9) spaced from the p+-type gate region layer (7) by a predetermined distance and containing n-type impurities of an impurity concentration higher than that of the n-type semiconductor layer (3). With this structure, the lateral JFET can be provided that has an ON resistance further decreased while maintaining a high breakdown voltage performance.

La structure de base de ce transistor à effet de champ à jonction latérale comprend une couche (3) semiconductrice du type n formée d'une zone d'impureté du type n et une couche semiconductrice du type p qui est formée d'une zone d'impureté du type p et qui est formée sur ladite couche semiconductrice (3) du type n. Dans ladite couche semiconductrice du type p sont également prévues une couche (7) de surface de grille du type p+ s'étendant jusqu'à la couche semiconductrice du type n et renfermant une concentration d'impuretés du type p qui est supérieure à celle de la couche semiconductrice (3) du type n, et une couche (9) de drain du type n+ qui est positionnée à une distance spécifiée par rapport à la couche (7) de surface de grille du type p+ et qui renferme une concentration d'impuretés du type n qui est supérieure à celle de la couche semiconductrice (3) du type n. Cette configuration permet de produire un transistor à effet de champ à jonction latérale qui est capable de conserver une résistance élevée à la tension et de réduire une résistance à l'état passant.

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