H - Electricity – 03 – F
Patent
H - Electricity
03
F
H03F 3/45 (2006.01) H03F 1/32 (2006.01)
Patent
CA 2144368
In a MOS operational transconductance amplifier including a MOS transistor differential pair, first to fourth current mirrors are provided between a voltage supply and a reference potential. The second and fourth current mirrors are connected together to a common node to which the channels of MOS transistor differential pair are connected. A first MOS transistor is connected between the voltage supply and a first constant current sink, and a second M0S transistor is connected at one end to the first current mirror and at the other end to the first constant current sink and the second current mirror. A third MOS transistor is connected at one end to the third current mirror and at the other end to the second constant current sink and the fourth current mirror, and a fourth MOS transistor is connected between the voltage supply and the second constant current sink. An input voltage is applied across the gates of the MOS differential pair as well as across first and second terminals to which the gates of the first and third MOS transistors and the gates of the second and fourth MOS transistors are connected. The first and second current mirrors and the second MOS transistor form a bootstrapping loop so that the second current mirror produces at the node a current equal to a sum of a constant current produced by the first constant current sink and a current equal to the drain current of one of the first and second MOS transistors. The third and fourth current mirrors and the third MOS transistor form another bootstrapping loop so that the fourth current mirror produces at the node a current equal to a sum of a constant current produced by the second constant current sink and a current equal to the drain current of one of the third and fourth MOS transistors.
L'invention est un amplificateur opérationnel MOS à transconductance comportant une paire de transistors MOS différentielle dans laquelle quatre miroirs de courant sont montés entre une source de tension et un point de potentiel de référence. Le deuxième et le quatrième miroir de courant sont connectés à un noeud commun auxquels les canaux de la paire de transistors différentielle sont connectés. Un premier transistor MOS est connecté entre la source de tension et un premier puits de courant constant, alors qu'un deuxième transistor MOS est connecté à l'une de ses extrémités au premier miroir de courant, et à l'autre extrémité, au premier puits de courant constant et au deuxième miroir de courant. Un troisième transistor MOS est connecté à l'une de ses extrémités au troisième miroir de courant, et à l'autre extrémité, au deuxième puits de courant constant et au quatrième miroir de courant; le quatrième transistor MOS est connecté entre la source de tension et le deuxième puits de courant constant. Une tension est appliquée aux grilles des transistors MOS de la paire différentielle, ainsi qu'à la première et à la seconde borne auxquelles les grilles du premier et du troisième transistor MOS et les grilles du deuxième et du quatrième transistor MOS sont connectées. Le premier et le deuxième miroir de courant et le deuxième transistor MOS forment une boucle d'amorçage, le deuxième miroir de courant produisant au noeud un courant égal à la somme du courant constant produit par le premier puits de courant constant, et d'un courant égal au courant de drain de l'un des deux premiers transistors MOS. Le troisième et le quatrième miroir de courant et le troisième transistor MOS forment une autre boucle d'amorçage, le quatrième miroir de courant produisant au noeud un courant égal à la somme du courant constant produit par le deuxième puits de courant, et d'un courant égal au courant de drain de l'un des deux derniers transistors MOS.
Corporation Nec
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