Substrate and production method thereof

Details Substrate and production method thereof Substrate and production method thereof

H - Electricity

01

L

H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)

Patent

CA 2233096

There are provided a method of producing an SOI wafer of high quality with excellent controllability, productivity and economy, and a wafer produced by such method. In the method of producing a substrate by utilizing bonding of wafers, a first substrate member and a second substrate member are mutually bonded and then the second substrate member is separated from the first substrate member at the interface of a first layer and a second layer formed on the main surface of the first substrate member, whereby the second layer is transferred onto the second substrate member. In the separation, the separation position at the interface of the first and the second layers is ensured by a method of varying the porosity of a porous Si layer, a method of forming an easily separable plane by the coagulation of pores in porous Si, a method of effecting ion implantation to the interface or a method of utilizing a heteroepitaxial interface.

Méthode de production d'une plaque SOI de qualité élevée avec d'excellentes caractéristiques de contrôlabilité, de productivité et d'économie, et une plaque produite au moyen de cette méthode. Dans la méthode de production d'un substrat par la liaison de plaques, un premier et un deuxième éléments de substrat sont mutuellement liés, puis le deuxième élément est séparé du premier à l'interface d'une première couche et d'une deuxième couche formée sur la surface principale du premier élément, où la deuxième couche est transférée sur le deuxième élément. Dans le processus de séparation, la position de séparation à l'interface de la première et de la deuxième couches est assurée par une méthode de changement de la porosité d'une couche Si poreuse, une méthode de formation d'un plan facilement séparable par la coagulation des pores de Si poreux, une méthode pour l'implantation à l'interface ou une méthode d'utilisation d'une interface hétéroépitaxiale.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Substrate and production method thereof does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Substrate and production method thereof, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Substrate and production method thereof will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-1489956