H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/04 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/3063 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01) H01L 31/068 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2231625
In a semiconductor substrate comprising a silicon substrate having a porous region, and a semiconductor layer provided on the porous region, the semiconductor layer comprises a single-crystal compound and is formed on the surface of the porous region with its pores having been sealed at the surface. This substrate can be produced by a process comprising the steps of heat-treating the silicon substrate having a porous region, to seal pores at the surface of the porous region, and forming a single-crystal compound-semiconductor layer by heteroepitaxial growth on the porous region having the pores sealed by the heat treatment. Single-crystal compound-semiconductor films with less crystal defects can be formed on large-area silicon substrates in a high productivity, a high uniformity, a high controllability and a great economical advantage.
Substrat semiconducteur constitué d'un substrat de silicium comportant une zone poreuse, et d'une couche de semiconducteur posée sur la zone poreuse. La couche de semiconducteur comprend un composé monocristallin et est formée sur la surface de la zone poreuse, les pores de celle-ci ayant été fermés à la surface. Ce substrat peut être produit au moyen d'un procédé comprenant les étapes suivantes : traitement thermique du substrat de silicium comportant une zone poreuse, pour fermer les pores à la surface de la zone poreuse; formation par hétéroépitaxie d'une couche d'un composé semiconducteur monocristallin sur la région poreuse, les pores étant fermés par traitement thermique. Des couches minces de composé semiconducteur monocristallin dont le crystal présente moins de défauts peuvent être formées sur des zones plus grandes du substrat de silicium, et ce, en grande quantité et de façon très uniforme, très contrôlable et très économique.
Sato Nobuhiko
Yonehara Takao
Canon Kabushiki Kaisha
Ridout & Maybee Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1527169