Four terminal rf mixer device

Details Four terminal rf mixer device Four terminal rf mixer device

H - Electricity

04

B

H04B 1/26 (2006.01) H03D 7/12 (2006.01) H03D 7/14 (2006.01)

Patent

CA 2213318

A four terminal multiplication circuit capable of mixing up to three input signals. The circuit includes a MOS transistor having gate, source, drain and back-gate terminals. When the circuit is used as an RF mixer or downconverter, an RF signal is provided to the gate terminal and a local oscillator signal is provided to the back-gate terminal. A DC voltage is applied to the source terminal for biasing the transistor and the mixed/downconverted output (IF) signal is obtained from the drain terminal. A single balanced and a double balanced mixer circuit are also disclosed. In the single balanced circuit, two MOS transistors are used; the RF signal is applied to the gate terminals with the positive phase LO component applied to one back-gate terminal and the negative phase local oscillator (LO) component applied to the other back-gate terminal for producing a positive phase and a negative phase IF signal. In the double balanced circuit, four MOS transistors are used; the positive phase RF signal is applied to the gate terminals of two of the transistors and the negative phase RF signal is applied to the gate terminals of the other two transistors. Likewise, the positive phase LO signal is applied to two of the transistors and the negative phase LO signal is applied to the other two transistors.

Circuit multiplicateur à quatre bornes capable de mélanger jusqu'à trois signaux d'entrée. Le circuit comprend un transistor MOS ayant des bornes de grille, de source, de drain et de grille arrière. Lorsque le circuit est utilisé comme mélangeur RF ou convertisseur-abaisseur, un signal RF est transmis à la borne de grille et un signal d'oscillateur local (OL) est transmis à la borne de grille arrière. Une tension c.c. est appliquée à la borne de source pour polariser le transistor, et le signal (FI) de sortie mélangé/converti-abaissé est obtenu à la borne de drain. Des circuits mélangeurs symétriques simple et double sont également présentés. Dans le circuit symétrique simple, deux transistors MOS sont utilisés; le signal RF est appliqué aux bornes de grille, la composante OL à phase positive étant appliquée à une borne de grille arrière et la composante OL à phase négative étant appliquée à l'autre borne de grille arrière afin de produire un signal FI à phase positive et un signal FI à phase négative. Dans le circuit symétrique double, quatre transistors MOS sont utilisés; le signal RF à phase positive est appliqué aux bornes de grille de deux des transistors et le signal RF à phase négative est appliqué aux bornes de grille des deux autres transistors. De même, le signal OL à phase positive est appliqué à deux des transistors et le signal OL à phase négative est appliqué aux deux autres transistors.

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