Trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor

Details Trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor Trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor

H - Electricity

01

L

356/149

H01L 29/76 (2006.01) H01L 21/8238 (2006.01) H01L 27/092 (2006.01) H01L 29/423 (2006.01)

Patent

CA 2009067

A complimentary trench gate metal-oxide semiconductor transistor is disclosed along with a resulting product. The process for forming the transistor comprises forming a trench within the semiconductor substrate, wherein the semiconductor substrate is doped to a first relative type. A layer doped to a second relative type is applied about the surface of the trench. An insulating layer is then formed within the trench upon said first layer. A region of gate material is formed within the trench upon said insulating layer. Source and drain regions are formed by doping first and second regions adjacent the trench to the opposite relative polarity of the substrate. Segments of the first and second regions are then doped to the same relative polarity as the substrate, the segments being isolated from the substrate by remaining portions of the first and second doped regions. The first layer therefore extends between said source and drain about said trench, and wherein the gate region is isolated from the first layer by the insulating layer.

L'invention est un transistor CMOS à tranchée de grille et le produit résultant est divulgué. Ce transistor est fabriqué en formant une tranchée dans le substrat semi-conducteur avec dopage d'un premier type. Une couche avec un dopage d'un second type est déposée sur la surface de la tranchée. Une couche isolante est ensuite formée dans la tranchée sur cette première couche. Une région correspondant à la grille est formée dans la tranchée sur cette couche isolante. Des régions de sources et de drain sont formées en dopant les première et seconde régions adjacentes à la tranchée, le dopage étant du type opposé à celui du substrat. Des segments de la première et de la seconde régions sont ensuite soumis à un dopage du même type que le substrat, tout en étant isolés de ce dernier par les parties restantes de la première et de la seconde régions dopées. La première couche s'étend donc entre la source et le drain adjacents à la tranchée et la grille se trouve isolée de la première couche par la couche isolante.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-1535178