Silicon ribbon growth dendrite thickness control system

C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B

Patent

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C30B 15/26 (2006.01) C30B 15/14 (2006.01) F27D 19/00 (2006.01) H04N 7/18 (2006.01)

Patent

CA 2361708

A method and system for controlling the thickness of a pair of dendrites in a dendritic silicon web growth process to improve dendritic silicon web production. An image of each dendrite in a web emerging from a silicon melt in a furnace is produced by a pair of cameras focused on the dendrite pair. The dendrite images are digitized, the average thickness of the dendrites is calculated, and compared to set point parameters. The average difference between the dendrite thicknesses and the set point parameters is used to control the overall furnace temperature, while the differences between the thickness of each pair are used to control the lateral temperature distribution in the furnace in order to maintain the dendrite thickness within predetermined limits. The method can be used in a closed loop configuration to automatically control the furnace temperature and lateral temperature distribution; or in an open loop configuration to provide visible feedback information to an operator who manually adjusts the furnace temperature conditions.

Cette invention se rapporte à un procédé et à un système de régulation de l'épaisseur d'une paire de dendrites dans un processus de croissance dendritique de membranes de silicium, en vue d'améliorer la production de membranes de silicium de type dendritique. A cet effet, une image de chaque dendrite d'une membrane sortant d'un bain de silicium fondu dans un four est produite par une paire de caméras focalisées sur la paire de dendrites. Les images des dendrites sont ensuite numérisées, l'épaisseur moyenne des dendrites est calculée et comparée à des paramètres servant de valeurs de consigne. La différence moyenne entre les épaisseurs des dendrites et les paramètres des valeurs de référence sert à réguler la température globale du four, alors que les différences entre l'épaisseur de chaque paire servent à réguler la distribution de température latérale du four, afin de maintenir l'épaisseur des dendrites à l'intérieur de limites prédéterminées. Ce procédé peut être utilisé dans une configuration en boucle fermée, en vue de réguler automatiquement la température du four et la distribution de température latérale, ou dans une configuration en boucle ouverte, en vue de fournir un retour d'information visible à l'opérateur qui règle manuellement les conditions de température du four.

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