H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/098 (2006.01)
Patent
CA 2660885
A semiconductor device including complementary junction field effect transistors (JFETs) manufactured on a silicon on insulator (SOI) wafer is disclosed. A p- type JFET includes a control gate (170) formed from n-type polysilicon and an n-type JFET includes a control gate (110) formed from .rho.-type polysilicon. The complementary JFETs may include four terminal JFETs having a back gate formed below a channel region. The back gate may be electrically connected to a control gate formed above a channel region via a cut region in an isolation structure. Furthermore, the complementary JFETs may be formed on strained silicon formed on a silicon germanium (SiGe) or silicon germanium carbon (SiGeC) layer, or the like.
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant des transistors à effet de champ à jonction complémentaire (JFET) fabriqués sur une tranche de silicium sur isolant (SOI). Un JFET de type p comprend une grille de commande formée à partir d'un polysilicium de type n et un JFET de type n comprend une grille de commande formée à partir d'un polysilicium de type p. Les JFET complémentaires peuvent comprendre quatre bornes JFET ayant une grille arrière formée en dessous d'une région de canal. La grille arrière peut être connectée électriquement à une grille de commande formée au-dessus d'une région de canal par l'intermédiaire d'une région de découpe dans une structure d'isolation. En outre, les JFET complémentaires peuvent être formés sur du silicium étiré formé sur une couche de silicium germanium (SiGe) ou de silicium germanium carbone (SiGeC) ou autre silicium similaire.
Dsm Solutions Inc.
Kirby Eades Gale Baker
LandOfFree
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