H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/15 (2006.01)
Patent
CA 2603477
A semiconductor device may include a superlattice comprising a plurality of stacked groups of layers. Each group of layers of the superlattice may include a plurality of stacked base silicon monolayers defining a base silicon portion and an energy band-modifying layer thereon. The energy band-modifying layer may include at least one non-semiconductor monolayer constrained within a crystal lattice of adjacent base semiconductor portions. The superlattice may further include at least one pair of oppositely-doped regions therein defining at least one semiconductor junction.
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur pouvant comprendre un super-réseau comprenant une pluralité de groupes empilés de couches. Chaque groupe de couches du super-réseau peut comprendre une pluralité de monocouches de silicium de base empilées définissant une partie de base en silicium et une couche modificatrice de bande d'énergie déposée sur ladite partie. La couche modificatrice de bande d'énergie peut comprendre au moins une monocouche non semi-conductrice contrainte à l'intérieur d'un réseau critallin de parties semi-conductrices de base adjacentes. Le super-réseau peut également comprendre au moins une paire de régions dopées de manière opposée définissant au moins une jonction.
Mears Robert J.
Stephenson Robert John
Mears Technologies Inc.
Teitelbaum & Maclean
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1574024