H - Electricity – 01 – C
Patent
H - Electricity
01
C
H01C 7/10 (2006.01) H01C 7/112 (2006.01)
Patent
CA 2060110
A ZnO2 voltage non-linear resistor excellent in all characteristics of life under electrical stress, current impulse withstandability, discharge voltage ratio, change rate of discharge voltage after application of current impulse and moisture absorbency contains, as additive ingredients: 0.4-1.5 mol.% bismuth oxides as Bi2O3, 0.3-1.5 mol.% cobalt oxides as Co2O3, 0.2-1.0 mol.% manganese oxides as MnO2, 0.5-1.5 mol.% antimony oxides as Sb2O3, 0.1-1.5 mol.% chromium oxides as Cr2O3, 0.4-3.0 mol.% silicon oxides as SiO2, 0.5-2.5 mol.% nickel oxides as NiO, 0.001-0.05 mol.% aluminum oxides as Al2O3, 0.0001-0.05 mol.% boron oxides as B2O3, 0.0001-0.05 mol.% silver oxides as Ag2O, and 0.0005-0.1 mol.% zirconium oxides as ZrO2, which bismuth oxides contain 30 wt.% of a .gamma.-type crystalline phase. A small-sizable ZnO2 voltage non-linear resistor having a higher varistor voltage in addition to the above characteristics contains, as additive ingredients: 0.3-1.5 mol.% bismuth oxides as Bi2O3, 0.3-1.5 mol.% cobalt oxides as Co2O3, 0.2-1.5 mol.% manganese oxides as MnO2, 0.5-1.5 mol.% antimony oxides as Sb2O3, 0.1-1.5 mol.% chromium oxides as Cr2O3, 4.0-10.0 mol.% silicon oxides as SiO2, 0.5-2.5 mol.% nickel oxides as NiO, 0.001-0.05 mol.% aluminum oxides as Al2O3, 0.0001-0.05 mol.% boron oxides as B2O3, 0.0001-0.05 mol.% silver oxides as Ag2O, and 0.0005-0.1 mol% zirconium oxides as ZrO2, which bismuth oxides contain 30 wt.% of a crystalline .gamma.-type phase.
ésistance non linéaire répartitrice de tension au ZnO2 à excellentes caractéristiques de durée en service en conditions de stress électrique, de résistance aux impulsions de courant, de rapport de tension de décharge, d'absorbance d'humidité et de changement de vitesse de tension de décharge après l'application d'impulsions de courant, contenant les ingrédients d'additifs suivants : 0,4-1,5 mol. % d'oxydes de bismuth à l'état de Bi2O3, 0,3-1,5 mol % d'oxydes de cobalt à l'état de Co2O3, 0,2-1,0 mol % d'oxydes de manganèse à l'état de MnO2, 0,5-1,5 mol % d'oxydes d'antimoine à l'état de Sb2O3, 0,1-1,5 mol % d'oxydes de chrome à l'état de Cr2O3, 0,4-3,0 mol % d'oxydes de silicium à l'état de SiO2, 0,5-2,5 mol % d'oxydes de nickel à l'état de NiO, 0,001-0,05 mol % d'oxydes d'aluminium à l'état d'Al2O3, 0,0001-0,05 mol % d' oxydes de bore à l'état de B2O3, 0,0001-0,05 mol % d'oxydes d'argent à l'état d'Ag2O et 0,0005-0,1 mol % d'oxydes de zirconium à l'état de ZrO2, dont les oxydes de bismuth contiennent 30 % en poids d'une phase cristalline de type gamma. Résistance non linéaire répartitrice de tension au ZnO2 miniaturisable ayant une tension de varistor supérieure en plus de caractéristiques ci-dessus, contenant les ingrédients d'additif suivants : 0,3-1,5 mol % d'oxydes de bismuth à l'état de Bi2O3, 0,3-1,5 mol % d'oxydes de cobalt à l'état de Co2O3, 0,2-1,5 mol % d'oxydes de manganèse à l'état de MnO2, 0,5-1,5 mol % d'oxydes d'antimoine à l'état de Sb2O3, 0,1-1,5 mol % d'oxydes de chrome à l'état de Cr2O3, 4,0-10,0 mol % d'oxydes de silicium à l'état de SiO2, 0,5-2,5 mol % d'oxydes de nickel à l'état de NiO, 0,001-0,05 mol % d'oxydes d'aluminium à l'état d'Al2O3, 0,0001-0,05 mol % d'oxydes de bore à l'état de B2O3, 0,0001-0,05 mol % d'oxydes d'argent à l'état d'Ag2O et 0,0005-0,1 mol% d'oxydes de zirconium à l'état de ZrO2, dont les oxydes de bismuth contiennent 30 % en poids d'une phase cristalline de type gamma.
Imai Osamu
Ohira Kunio
Sato Ritsu
Ngk Insulators Ltd.
Smart & Biggar
LandOfFree
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