H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/00 (2006.01) H01L 21/04 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) H01L 29/24 (2006.01)
Patent
CA 2334339
Silicon carbide power devices are fabricated by masking the surface of a silicon carbide substrate to define an opening at the substrate, implanting p-type dopants into the silicon carbide substrate through the opening at implant energy and dosage that form a deep p-type implant, and implanting n-type dopants into the silicon carbide substrate through the opening at implant energy and dosage that form a shallow n-type implant relative to the deep p-type implant. The deep p-type implant and the shallow n-rype implant are annealed at less than 1650 °C, but preferably more than about 1500°. The annealing preferably takes place for between about five minutes and about thirty minutes. Ramp-up time from room temperature to the anneal temperature is also controlled to be less than about one hundred minutes but more than about thirty minutes. Ramp-down time after annealing is also controlled by decreasing the temperature from the annealing temperature to below about 1500 °C in less than about two minutes. By controlling the ramp-up time, the annealing time and/or temperature and/or the ramp-down time, high performance silicon carbide power devices may be fabricated.
On fabrique des dispositifs de puissance à base de carbure de silicium en masquant la surface d'un substrat en carbure de silicium de manière à définir une ouverture sur ledit substrat, en implantant par l'ouverture des dopants de type p dans le substrat en carbure de silicium, l'énergie et la concentration des implants permettant la formation d'un implant profond de type-p, et en implantant par l'ouverture des dopants de type-n dans le substrat en carbure de silicium, l'énergie et la concentration des implants permettant la formation d'un implant peu profond de type-n, relativement à l'implant profond de type-p. L'implant profond de type-p et l'implant peu profond de type-n sont soumis à un recuit à une température inférieure à 1650 DEG C, et de préférence inférieure à 1500 DEG C. L'opération de recuit se déroule de préférence pendant cinq à vingt minutes environ. La durée de montée en température, permettant de passer de la température ambiante à la température de recuit, est régulée de manière à être inférieure à cent minutes environ et supérieure à trente minutes environ. La durée de décroissance de la température après le recuit est également régulée de manière que la température décroît de la température de recuit jusqu'à une valeur inférieure à 1500 DEG C environ en moins de deux minutes environ. Grâce à la régulation de la durée de montée en température, de la durée et/ou de la température du recuit et/ou de la durée de décroissance de la température, il est possible de fabriquer des dispositifs de puissance haute performance à base de carbure de silicium.
Palmour John W.
Singh Ranbir
Suvorov Alexander V.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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