Photodetectors using iii-v-nitrides

Details Photodetectors using iii-v-nitrides Photodetectors using iii-v-nitrides

H - Electricity

01

L

H01L 31/00 (2006.01) H01L 31/0304 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)

Patent

CA 2226439

A photodetector using a III-V nitride and having predetermined electrical properties is disclosed. The photodetector includes a substrate with interdigitated electrodes formed on its surface. The substrate has a sapphire base layer, a buffer layer formed from a III-V nitride and a single crystal III-V nitride film. The three layers are formed by electron cyclotron resonance microwave plasma-assisted molecular beam epitaxy (ECR-assisted MBE). Use of the ECR-assisted MBE process allows control and predetermination of the electrical properties of the photodetector.

Ce photodétecteur aux nitrures III-V est doté de propriétés électriques prédéterminées et comprend un substrat à la surface duquel sont formées des électrodes interdigitées. Le substrat comprend une couche de base en saphir, une couche tampon en un nitrure III-V et une couche en monocristaux de nitrure III-V. On forme ces trois couches par épitaxie par jets moléculaires assistée par un plasma créé par chauffage hyperfréquence à la résonance cyclotronique des électrons. Ce procédé de fabrication permet de moduler et de prédéterminer les propriétés électriques du photodétecteur.

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