Variable frequency drive system apparatus and method for...

H - Electricity – 01 – H

Patent

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H01H 31/12 (2006.01)

Patent

CA 2635240

As applications of variable frequency drives (VFD) (50) continue to grow so do challenges to provide VFD(50) systems meeting application specific requirements . For multiple reasons to include safety standards and electromagnetic interference, reduced ground leakage current is desireable. Building high ouput voltage VFDs (50) using transitors rated at voltages lower than the VFD ouput votlage is desireable for economic resons. The apparatus and method described herein meet these challenges and others, in part by placing an electrically insulating plaste (cpl76) having high thermal conductivity , a low dielectric constant, and high dielectric strenght between the heat sink plate of a VFD power semiconductor module and a grounded cooling plate (80 TE) . The positive effects of this plate installation include reducing ground leakage current induced by system capacitances to ground upon high frequency voltage steps and increasing the effective dielectric strength of the VFD's(50) transistor modules engaging in high reliable VFD (50)votlage ouput for a given transistor rating.

L~élargissement continu des domaines d~application des commandes à fréquence variable (VFD) (50) nécessite de répondre aux défis toujours croissants posés par la mise au point de systèmes VFD (50) satisfaisant aux exigences propres à chaque application. Il est souhaitable, au vu notamment des normes de sécurité et de la protection contre les parasites électromagnétiques, de réduire le courant de fuite à la masse. La mise au point de VFD (50) à haute tension de sortie utilisant des transistors dont la tension nominale est inférieure à la tension de sortie des VFD s~avère donc nécessaire pour des raisons économiques. L~appareil et le procédé de l~invention permettent de répondre à ces défis, et à d~autres encore, notamment grâce à la mise en place d~une plaque électriquement isolante (cpl76), présentant une conductivité thermique élevée, une faible constante diélectrique et une forte rigidité diélectrique, entre la plaque dissipatrice de chaleur d~un module à semiconducteur de puissance d~un VFD et une plaque de refroidissement mise à la masse (80 TE). L~installation de cette plaque offre l~avantage, entre autres, de réduire le courant de fuite à la masse induit par les capacités du système à la masse pour des sauts de tension haute fréquence et d~accroître la rigidité diélectrique effective des modules de transistors du VFD (50), qui fournit alors une tension de sortie élevée fiable pour des valeurs nominales données des transistors.

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