H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/205 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
Patent
CA 2495908
A method for easily manufacturing a nitride semiconductor device having an epitaxial film which is excellent in flatness and crystallinity and a nitride semiconductor device manufactured by such a method are disclosed. The method for manufacturing a nitride semiconductor device that is formed on a semiconductor substrate composed of a compound containing nitrogen and a group 3B element that forms a compound with nitrogen comprises a step wherein a film- forming gas containing a group 3B element material gas and a nitrogen material gas is supplied while heating a semiconductor substrate (1) to a film-forming temperature and a thin film (2) of the compound containing the group 3B element and nitrogen is epitaxially grown on the semiconductor substrate. Before this epitaxial growth step, the method comprises a step wherein the surface of the semiconductor substrate is cleaned by heating the semiconductor substrate to a pre-processing temperature that is lower than the film-forming temperature.
L'invention concerne un procédé de production facile d'un dispositif à semi-conducteur au nitrure présentant une couche mince épitaxiale présentant une planéité et une cristallinité excellentes, et un dispositif à semi-conducteur au nitrure produit par ce procédé. Le procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur au nitrure formé sur un substrat à semi-conducteur constitué d'un composé contenant de l'azote et d'un élément du groupe 3B formant un composé avec l'azote, comprend une étape dans laquelle est alimenté un gaz filmogène contenant un gaz matériel d'élément du groupe 3B ainsi qu'un gaz matériel azote tandis que le substrat à semi-conducteur (1) est chauffé à une température filmogène, et une couche mince (2) du composé contenant l'élément du groupe 3B ainsi que l'azote est tirée de façon épitaxiale sur le substrat à semi-conducteur. Avant cette étape de tirage épitaxial, le procédé comprend une étape dans laquelle la surface du substrat à semi-conducteur est nettoyée par chauffage du substrat à semi-conducteur à une température de pré-traitement laquelle est inférieure à la température filmogène.
Kyono Takashi
Ueno Masaki
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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