H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01) C30B 23/02 (2006.01) G02B 6/13 (2006.01)
Patent
CA 2178656
A process and structure wherein a film comprised of a perovskite or a spinel is built epitaxially upon a surface (22), such as an alkaline earth oxide surface, involves the epitaxial build up of alternating constituent metal oxide planes of the perovskite or spinel (20, 26, 28). The first layer of metal oxide built upon the surface (22) includes a metal element which provides a small cation in the crystalline structure of the perovskite or spinel, and the second layer of metal oxide built upon the surface (22) includes a metal element which provides a large cation in the crystalline structure of the perovskite or spinel. The layering sequence involved in the film build up reduces problems which would otherwise result from the interfacial electrostatics at the first atomic layers. and these oxides can be stabilized as commensurate thin films at a unit cell thickness or grown with high crystal quality to thicknesses of 0.5-0.7 .theta.m for optical device applications.
L'invention concerne un procédé et une structure dans lesquels un film constitué d'un perovskite ou d'un spinelle est formé par épitaxie sur une surface (22) telle qu'une surface d'oxyde alkalino-terreux impliquant la superposition par épitaxie de plans d'oxydes métalliques de perovskite ou de spinelle alternés (20, 26, 28). La première couche d'oxyde métallique formée sur la surface (22) comporte un élément métallique produisant un petit cation dans la structure cristalline de la perovskite ou du spinelle, la deuxième couche d'oxyde métallique formée sur la surface (22) comportant un élément métallique produisant un grand cation dans la structure cristalline de la perovskite ou du spinelle. La séquence de stratification impliquée dans la formation des couches permet de supprimer le problème résultant de l'électricité statique interfaciale au niveau des premières couches atomiques, ces oxydes pouvant être stabilisés comme des couches minces proportionnelles à l'épaisseur d'une cellule élémentaire ou formée avec une qualité cristalline élevée en épaisseurs de 0,5 à 0,7 .theta.m pour des dispositifs optiques.
Mckee Rodney A.
Walker Frederick J.
Macrae & Co.
Martin Marietta Energy Systems Inc.
The University Of Tennessee Research Corporation
LandOfFree
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