C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 14/34 (2006.01) H01J 37/34 (2006.01)
Patent
CA 2251602
A cathodic sputtering device produces layers on a substrate (27) by means of a sputtering cathode (2) which may be introduced into a vacuum chamber, which is rotationally symmetrical with respect to the middle axis (44) of the sputtering cathode (2) and whose surface (41) is at least partially slanted with respect to the target rear side (40). A target surface (41) which slants with respect to the target rear side (74) or at least part of said surface defines an angle with the target rear side (74). The target surface (41) lies between other target surfaces (76, 78) which also define an angle .SIGMA., µ, .alpha. with the slanting target surface (41).
Ce dispositif de pulvérisation cathodique produit des couches sur un substrat (27) au moyen d'une cathode de pulvérisation (2) à symétrie de révolution par rapport à son axe médian (44) et qui peut être introduite dans une chambre sous vide, et dont la surface (41) est au moins partiellement inclinée par rapport à la face postérieure (40) de la cible. Une surface (41) de la cible ou au moins une partie de cette surface (41) est oblique par rapport à la face postérieure (74) de la cible et forme un angle avec la face postérieure (74) de la cible. La surface (41) de la cible se situe entre d'autres surfaces (76, 78) de la cible qui forment elles aussi avec la surface inclinée (41) de la cible un angle .SIGMA., µ, .alpha..
Dennison Associates
Singulus Technologies Ag
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1637504