Post-formation feature optimization

G - Physics – 02 – B

Patent

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G02B 6/13 (2006.01) G02B 6/36 (2006.01) G02B 6/38 (2006.01) G02B 6/42 (2006.01) G02B 6/32 (2006.01)

Patent

CA 2447341

A method of optimizing a feature, defined by a wall in a wafer material, to an accuracy of better than 1 micron involves treating the wall with a reactive gas, by exposing the wall to the reactive gas, to cause the wall to become a cladding material and expand outwards from the wall in a defined, uniform manner until a desired size for the feature is achieved. An alternative method of optimizing a feature, defined by a wall in a wafer material, to an accuracy of better than 1 micron involves depositing a base material on at least part of the wall to facilitate plating of a material on the wall, on top of the base material, in a defined, uniform manner, and plating the at least part of the wall with the material until a desired size for the feature is achieved.

La présente invention concerne un procédé d'optimisation d'un élément, délimité par une paroi dans un matériau de tranche, à un niveau de précision supérieur à 1 micron comportant le traitement de la paroi avec un gaz réactif, en exposant la paroi au gaz réactif, pour transformer la paroi en un matériau de gaine et à s'étendre vers l'extérieur à partir de la paroi de manière déterminée et uniforme jusqu'à l'obtention d'une dimension souhaitée pour l'élément. Un autre mode de réalisation d'optimisation d'un élément, délimité par une paroi dans un matériau de tranche, à un niveau de précision supérieur à 1 micron comporte le dépôt d'un matériau de base sur au moins une partie de la paroi en vue de faciliter le revêtement d'un matériau sur la paroi, au-dessus du matériau de base, de manière déterminée et uniforme, et le revêtement d'au moins une partie de la paroi avec le matériau jusqu'à l'obtention d'une dimension souhaitée pour l'élément.

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