Method of producing thin, poorly soluble coatings

Details Method of producing thin, poorly soluble coatings Method of producing thin, poorly soluble coatings

C - Chemistry, Metallurgy

23

C

C23C 26/00 (2006.01) C23C 8/10 (2006.01) H01L 21/368 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)

Patent

CA 2367342

Stable surface coatings can be produced by sputtering, evaporation coating, bath deposition or metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). With these methods it is not always possible to obtain homogeneous coatings which also reach internal surfaces. For the production of ceramic or oxidic layers (CL/OL) on substrates (S) the invention therefore provides that after application (I) and drying (II) of a suitable starting substance (P) the resulting starting-substance layer (PLD) is exposed (III) to a wet reactant gas (RG) to transform said layer into a corresponding hydroxide or complex layer (HL) and then heat treated (IV) for the formation of a ceramic or oxidic layer (CL/OL). For the alternative preparation of other chalcogenide layers presenting greater material conversion the layers are in addition exposed to a reactant gas containing a chalcogen hydrogen. Metallic layers can alternatively be produced using a reactant gas with reducing action. The methods provided for in the invention can be used in any application concerned with the protection and modification of surfaces, including shadow-cast structures, and the application of functional layers, notably in solar and materials technology.

La réalisation de revêtements de surface stables peut être effectuée par pulvérisation cathodique, métallisation en phase vapeur, dépôt en bain chimique ou dépôt chimique métal-oxyde en phase vapeur (MOCVD). Ces procédés ne permettent pas toujours de garantir des couches homogènes atteignant également les surfaces internes. Le procédé selon la présente invention, qui permet donc la fabrication de couches de céramique ou d'oxyde (CL/OL) sur des substrats (S), consiste, après l'application (I) et le séchage (II) d'une substance de départ (P) appropriée, à exposer (III) la couche de substance de départ (PLD) ainsi formée à un gaz réactif humide (RG) pour convertir ladite couche en une couche correspondante d'hydroxyde ou complexe (HL), puis à traiter thermiquement (IV) ladite couche pour former une couche de céramique ou d'oxyde (CL/OL). Alternativement, pour fabriquer d'autres couches de chalcogénure à conversion accrue de matière, lesdites couches sont exposées de manière supplémentaire à un gaz réactif contenant de l'hydrogène et un chalcogène. Des couches métalliques peuvent également être produites à l'aide d'un gaz réactif à effet réducteur. Lesdits procédés peuvent être mis en oeuvre partout où il s'agit de protéger et de modifier des surfaces, également à structures ombrées, ou de déposer des couches fonctionnelles, en particulier dans la technique solaire et des matériaux.

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