H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/042 (2006.01) H01L 25/075 (2006.01) H01L 31/0216 (2006.01) H01L 31/0352 (2006.01) H01L 31/068 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2393219
A semiconductor device having light-emitting or light-receiving functions includes a spherical semiconductor element formed from a p-type or an n-type silicon single crystal: first and second flat surfaces, a respective n-type or p-type diffusion layer, a pn junction thereof, a negative electrode, and a positive electrode. A cylindrical semiconductor element can be used in place of the spherical semiconductor element.
Dispositif à semi-conducteur (10) qui possède une fonction de réception de lumière et comporte un élément semi-conducteur (1) monocristallin en silicium de type p, des première et seconde faces plates (2, 7), une couche de diffusion (3) de type n, une jonction pn (4), une couche de recristallisation (8), un film antireflet (6a), une électrode négative (9a), et une électrode positive (9b). Un élément semi-conducteur à forme de colonne peut être utilisé à la place de l'élément semi-conducteur (1).
Adams Thomas
Nakata Josuke
LandOfFree
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