Mesa etch method and composition for epitaxial lift off

Details Mesa etch method and composition for epitaxial lift off Mesa etch method and composition for epitaxial lift off

H - Electricity

01

L

H01L 21/306 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)

Patent

CA 2739327

Embodiments of the invention generally relate to compositions of mesa etch solutions and methods for mesa etching materials on a wafer during an epitaxial lift off (ELO) process. The wafer usually contains an etch stop layer disposed thereon and a laminated epitaxial material disposed on the etch stop layer. In one embodiment, an etch process includes exposing the wafer to a non-selective etch solution and subsequently exposing the wafer to a selective etch solution while peeling the laminated epitaxial material from the wafer. The selective etch solution may contain succinic acid, an ammonium hydroxide compound, and an oxidizing agent, such as hydrogen peroxide. The selective etch solution may have a GaAs/A1As selectivity of about 600, about 1,000, about 1,400, or greater. The non-selective etch solution may be an aqueous solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide.

Des modes de réalisation de l'invention concernent d'une manière générale des compositions de solutions et des procédés de mésa gravure de matériaux sur une plaquette pendant un retrait épitaxial (ELO). La plaquette contient d'ordinaire une couche d'arrêt de gravure disposée sur celle-ci et un matériau épitaxial stratifié disposé sur la couche d'arrêt de gravure. Dans un mode de réalisation, un processus de gravure consiste notamment à exposer la plaquette à une solution de gravure non sélective tout en écaillant le matériau épitaxial stratifié de la plaquette. La solution de gravure sélective peut contenir de l'acide succinique, un composé d'hydroxyde d'ammonium et un agent oxydant, tel que le peroxyde d'hydrogène. La solution de gravure sélective peut présenter une sélectivité GaAs/AlAs d'environ 600, 1000, 1400 ou plus. La solution de gravure non sélective peut être une solution aqueuse contenant de l'acide sulfurique et du peroxyde d'hydrogène.

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