Method of fabricating semiconductor device

Details Method of fabricating semiconductor device Method of fabricating semiconductor device

H - Electricity

01

L

H01L 21/265 (2006.01) H01L 21/04 (2006.01)

Patent

CA 2500182

A method for manufacturing semiconductor device is disclosed which enables to perform ion implantation at high temperature wherein ions are accelerated by high energy. The method enables to simply perform selective and sufficiently deep impurity implantation into a semiconductor substrate (1, 101), especially into an SiC semiconductor substrate. The method for manufacturing device is characterized by comprising a step for forming a mask layer on a surface of the semiconductor substrate (1, 101) which mask layer is composed of a polyimide resin film (2) or of an SiO2 film (107a, 107b) and a metal thin film (105), and a step for implanting impurity ions.

L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur, lequel permet l'implantation d'ions à haute température, les ions étant accélérés par une énergie élevée. Ce procédé permet de réaliser simplement une implantation d'impuretés sélective et suffisamment profonde dans un substrat en semi-conducteur (1, 101), en particulier dans un substrat en SiC. Ce procédé de production se caractérise en ce qu'il comprend une étape consistant à former une couche de masquage sur une surface du substrat en semi-conducteur (1, 101), cette couche étant constituée d'un film de résine polyimide (2) ou d'un film de SiO¿2? (107a, 107b) et d'une couche mince métallique (105), et une étape consistant à implanter des ions d'impuretés.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Method of fabricating semiconductor device does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Method of fabricating semiconductor device, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Method of fabricating semiconductor device will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-1696477