High reliability otp memory

G - Physics – 11 – C

Patent

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G11C 17/18 (2006.01) G11C 17/16 (2006.01)

Patent

CA 2690237

A method and system for improving reliability of OTP memories, and in particular anti-fuse memories, by storing one bit of data in at least two OTP memory cells. Therefore each bit of data is read out by accessing the at least two OTP memory cells at the same time in a multi-cell per bit mode. By storing one bit of data in at least two OTP memory cells, defective cells or weakly programmable cells are compensated for since the additional cell or cells provide inherent redundancy. Program reliability is ensured by programming the data one bit at a time, and verifying all programmed bits in a single-ended read mode, prior to normal operation where the data is read out in the multi-cell per bit mode. Programming and verification is achieved at high speed and with minimal power consumption using a novel program/verify algorithm for anti-fuse memory. In addition to improved reliability, read margin and read speed are improved over single cell per bit memories.

Une méthode et un système permettant d'améliorer la fiabilité de mémoires OTP, et, en particulier des mémoires antifusion, en stockant un bit d'information dans au moins deux cellules de mémoire OTP. Par conséquent, chaque bit d'information est extrait en accédant à au moins deux cellules de mémoire OTP simultanément dans un mode multicellulaire par bit. En stockant un bit d'information dans au moins deux cellules de mémoire OTP, les cellules défectueuses ou les cellules difficilement programmables sont compensées puisque la ou les cellule supplémentaires fournissent une redondance intrinsèque. La fiabilité du programme est assurée au moyen de la programmation des données un bit à la fois, et de la vérification de tous les bits programmés dans un mode de lecture asymétrique, avant l'opération normale où les données sont extraites dans le mode multicellulaire par bit. La programmation et la vérification sont réalisées à haute vitesse et avec une consommation de puissance minimale en utilisant un algorithme novateur de programmation et de vérification pour la mémoire antifusion. En plus d'une fiabilité améliorée, les écarts de valeurs lues et la vitesse de lecture sont améliorés par rapport aux mémoires à cellule unique par bit.

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