C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
204/96.01
C23C 14/32 (2006.01) C23C 14/38 (2006.01)
Patent
CA 2023205
A method of depositing high quality thin film at a high rate of deposition through the formation of a high flux of activated precursor species of a precursor deposition gas by employing a substantial pressure differential between the pressure adjacent the aperture in a conduit from which said precursor deposition gas is introduced into the interior of a vacuumized enclosure and the background pressure which exits in said enclosure. As the precursor deposition gas is introduced into said enclosure, a high density plume of said activated precursor species are formed therefrom due to an electromagnetic field established in an activation region adjacent said aperture. The pressure differential is sufficient to cause those activated precursor species to be deposited upon a remotely positioned substrate. In order to obtain a sufficient pressure differential, it is preferred that the flow of the precursor deposition gas reaches transonic velocity. And in order to obtain a high quality thin film, it is preferred that the plume of activated precursor species is spaced from the substrate; without structural or electrical confinement, a distance from the activation region greater than the mean free path of undesired activated precursor species and within the mean free path of desired species.
Méthode pour déposer une mince pellicule de haute qualité à un rythme d'exécution élevé par formation d'un flux considérable d'éléments précurseurs activés d'un gaz de dépôt précurseur en employant un différentiel de pression substantiel entre la pression près de l'ouverture dans un conduit par lequel ledit gaz de dépôt précurseur est introduit à l'intérieur d'une enceinte sous vide et la pression de fond qui existe dans ladite enceinte. Lorsque le gaz de dépôt précurseur est introduit dans ladite enceinte, un panache de forte densité desdits éléments précurseurs activé s'y forme par suite de l'établissement d'un champ électromagnétique dans un secteur d'activation près de ladite ouverture. Le différentiel de pression est suffisant pour amener ces éléments précurseurs activés à se déposer sur un support en position éloignée. Dans le but d'obtenir un différentiel de pression suffisant, il est préférable que le flux de gaz de dépôt précurseur atteigne une vitesse transsonique. Et pour obtenir une mince pellicule de haute qualité, il est préférable que le panache d'éléments précurseurs activés soit espacé du support; sans confinement structural ou électrique, une distance depuis le secteur d'activation plus grande que le libre parcous moyen des éléments précurseurs activés non souhaités et en deçà du libre parcours moyen des éléments souhaités.
Doehler Joachim
Hudgens Stephen J.
Krisko Jeffrey M.
Ovshinsky Stanford R.
Peedin Lester R.
Energy Conversion Devices Inc.
Macrae & Co.
LandOfFree
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