H - Electricity – 03 – F
Patent
H - Electricity
03
F
H03F 3/45 (2006.01) H03F 1/32 (2006.01)
Patent
CA 2110839
A differential amplifier circuit having an improved transconductance linearity, which includes a first to fourth unbalanced differential pairs of MOS transistors. In each differential pair, a ratio (W/L) of a gate-width W and a gate-length L of one transistor is different from that of the other transistor. Gates of the transistors having smaller ratios of the first and third pairs and gates of the transistors having larger ratios of the second and fourth pairs are coupled together to form one of differential input ends. Gates of the transistors having larger ratios of the first and third pairs and gates of the transistors having smaller ratios of the second and fourth pairs are coupled together to form the other of the input ends. Drains of the transistors having smaller ratios of the first and second pairs and drains of the transistors having larger ratios of the third and fourth pairs are coupled together to form one of differential output ends. Drains of the transistors having larger ratios of the first and second pairs and drains of the transistors having smaller ratios of the third and fourth pairs are coupled together to form the other of the output ends.
Circuit amplificateur différentiel à linéarité de transconductance améliorée, qui comprend des paires différentielles de transistors MOS à déséquilibre de premier à quatrième. Dans chaque paire différentielle, le rapport largeur/longueur (W/L) de la grille d'un transistor diffère de celui de l'autre transistor. Les grilles des transistors à rapports inférieurs des première et troisième paires et les grilles des transistors à rapports supérieurs des deuxième et quatrième paires sont couplées ensemble pour former une des extrémités d'entrée différentielle. Les grilles des transistors à rapports supérieurs des première et troisième paires et les grilles des transistors à rapports inférieurs des deuxième et quatrième paires sont couplées ensemble pour former l'autre extrémité d'entrée. Les drains des transistors à rapports inférieurs des première et deuxième paires et les drains des transistors à rapports supérieurs des troisième et quatrième paires sont couplés ensemble pour former l'une des extrémités de sortie différentielle. Les drains des transistors à rapports supérieurs des première et deuxième paires et les drains des transistors à rapports inférieurs des troisième et quatrième paires sont couplés ensemble pour former l'autre extrémité de sortie.
Corporation Nec
Smart & Biggar
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