H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/04 (2006.01)
Patent
CA 2745956
A thin film photoelectric conversion device for performing photoelectric conversion of a wide range of light, from the visible range to the infrared range, is provided. A plasmon resonance phenomenon, which enhances a photo-induced electric field, is caused in a wide range of light, by a metal nanostructure which is formed by annealing a substrate on which a first metal thin film layer composed of a first metal and a second metal thin film layer composed of a second metal which is partially overlapped onto the first metal thin film layer are laminated, and in which a periodic structure, wherein a number of first convex parts successively lie with a pitch of from one-tenth of a wavelength of an incident light to a wavelength equal to or shorter than the wavelength of the incident light in a planar direction along the substrate, is formed on the surface of the substrate; and a random structure, wherein a distance between any pair of a number of second convex parts formed at random positions on the substrate, or a distance between a second convex part and a first convex part is shorter than 100 nm, is formed on the substrate in a position within a region of the periodic structure or in a position adjacent to the region of the periodic structure, and as a result, high sensitivity photo-induced current is generated.
La présente invention concerne un transducteur photoélectrique à couches minces permettant la transduction photoélectrique dune lumière à large bande depuis la région visible vers la région infrarouge. Un substrat comportant une première couche métallique à couches minces faite dun premier métal et une seconde couche métallique à couches minces faite dun second métal et formée sur une partie de la première couche métallique à couches minces est recuit. Le substrat possède une nanostructure métallique composée dune structure périodique et dune structure aléatoire. Dans la structure périodique, un grand nombre de premières saillies est formé en continu sur le substrat parallèlement à ce dernier, avec une période de 1/10 de la longueur d'onde de la lumière incidente à la longueur d'onde. Dans la structure aléatoire, un grand nombre de secondes saillies est formé dans des positions aléatoires sur le substrat dans la région de la structure périodique ou dans une région adjacente à la région de la structure périodique, et la distance entre une quelconque paire de secondes saillies ou entre une seconde saillie et une première saillie est inférieure à 100 nm. Grâce à cette nanostructure métallique, il se produit un phénomène de résonance plasmonique tel que le champ électrique induit par la lumière augmente lorsquune lumière à large bande est appliquée, et un courant induit par la lumière est généré à une sensibilité élevée.
Marks & Clerk
Si-Nano Inc.
LandOfFree
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