G - Physics – 02 – B
Patent
G - Physics
02
B
G02B 6/26 (2006.01) G02B 6/12 (2006.01)
Patent
CA 2519672
A silicon-based electro-optic modulator (30) is based on forming a gate region of a first conductivity to partially overly a body region of a second conductivity type, with a relatively thin dielectric layer (10) interposed between the contiguous portions of the gate and body regions (12, 10). The modulator may be formed on an SOI platform, with the body region formed in the relatively thin silicon surface layer of the SOI structure and the gate region formed of a relatively thin silicon layer (10) overlying the SOI structure. The doping in the gate and body regions is controlled to form lightly doped regions above and below the dielectric, thus defining the active region (16) of the device. Advantageously, the optical electric field essentially coincides with the free carrier concentration area in this active device region. The application of a modulation signal thus causes the simultaneous accumulation, depletion or inversion of free carriers on both sides of the dielectric at the same time, resulting in high speed operation.
L'invention concerne un modulateur électro-optique à base de silicium basé sur la formation d'une région de grille d'une première conductivité afin de recouvrir partiellement une région de corps d'un second type de conductivité, une couche relativement mince de diélectrique étant interposée entre les parties contiguës des régions de grille et de corps. Ledit modulateur peut être formé sur une plate-forme SOI, la région de corps étant formée dans la couche de surface de silicium relativement mince de la structure SOI et la région de grille étant formée d'une couche de silicium relativement mince recouvrant la structure SOI. Le dopage dans les régions de grille et de corps est commandé afin de former des région légèrement dopées au-dessus et en-dessous du diélectrique, ce qui permet de définir la région active du dispositif. De manière avantageuse, le champ électro-optique coïncide essentiellement avec la zone de concentration de porteur libre dans la région de dispositif active. L'application d'un signal de modulation entraîne donc l'accumulation, l'appauvrissement ou l'inversion simultanée de porteurs libres des deux côtés du diélectrique au même moment, ce qui produit un fonctionnement à vitesse élevée.
Ghiron Margaret
Gothoskar Prakash
Montgomery Robert Keith
Patel Vipulkumar
Pathak Soham
Borden Ladner Gervais Llp
Sioptical Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1724454