G - Physics – 01 – M
Patent
G - Physics
01
M
G01M 3/18 (2006.01) G01M 3/22 (2006.01) G01M 3/32 (2006.01)
Patent
CA 2588854
The present invention is directed to a method for testing the leakage rate of an encapsulated device, comprising the step: bombing the device with a Neon and/or Argon atmosphere using a bombing pressure of at least more than environmental pressure and measuring the quality factor before and after bombing. Preferably, the bombing time is about 10 to 100 hours, and the bombing pressure is 1,5 to 100 bar, more preferably 1,5 to 5 bar and most preferably about 4 bar. With this test, the leakage rate of fine leaks of the device may be determined. This test is helpful in determining statistical surface contaminations or defects caused by wafer processing that affect the seal integrity just enough to cause shorter lifetimes. Further, dicing, die assembly and transfer molding may also introduce physical defects which may be detected with the present method. Finally, the inventive test method may be useful for process optimization: Hermeticity tests are a great help to optimize sealing processes.
La présente invention a trait à un procédé pour la vérification du taux de fuite d'un dispositif encapsulé, comprenant l'étape de bombardement de dispositif avec une atmosphère de néon et/ou d'argon utilisant une pression de bombardement au moins supérieure à la pression ambiante et la mesure du facteur de qualité avant et après le bombardement. De préférence la durée de bombardement est comprise entre environ 10 et 100 heures, et la pression de bombardement est comprise entre 1,5 et 100 bar, de préférence entre 1,5 et 5 bar et plus avantageusement d'environ 4 bar. Grâce à cet essai, le taux de fuites fines du dispositif peut être déterminé. Cet essai est utile pour la détermination de contaminations superficielles statistiques ou des défauts causés par le traitement de tranches qui affectent l'intégrité d'étanchéité juste suffisamment pour entraîner des durées de vie plus courtes. En outre, le découpage en dés, l'assemblage de puces et le moulage de transfert peuvent également introduire des défauts physiques qui peuvent être détectés grâce au procédé de l'invention. Enfin, l'essai de l'invention peut être utile pour l'optimisation de traitements d'étanchéité. Des essais d'herméticité sont très utiles pour l'optimisation de traitements d'étanchéité.
Kaehler Dirk
Merz Peter
Reinert Wolfgang
Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung
Marks & Clerk
Sensordynamics Ag
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1769243