Redundancy in array storage system

G - Physics – 06 – F

Patent

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Details

G06F 12/16 (2006.01)

Patent

CA 2532998

Error tolerance is increased for a storage system having a plurality of arrays by making local redundancy in a selected array globally available throughout the storage system. To achieve the increased error tolerance, a donor array is selected from the plurality of arrays when the difference between a minimum distance of the donor array and a minimum distance of a recipient array is greater or equal to 2. A donor storage unit is selected in the donor array and recipient information is then rebuilt from the recipient array on the selected storage unit. The selected storage unit is indicated to the donor array as having been donated before the lost information is rebuilt on the selected storage unit. Preferably, the minimum Hamming distance of the recipient array is d >= 2 before the donor array is selected from the plurality of arrays.

On augmente la tolérance aux erreurs dans un système de mémoire ayant plusieurs matrices en créant une redondance locale dans une matrice sélectionnée globalement disponible dans tout le système de mémoire. Pour obtenir cette augmentation de la tolérance aux erreurs, on sélectionne une matrice donneuse parmi plusieurs matrices, lorsque la différence entre une distance minimum de la matrice donneuse et une distance minimum d'une matrice receveuse est supérieure au égale à 2. Une unité de mémoire donneuse est sélectionnée dans la matrice donneuse et l'information receveuse est ensuite reconstituée à partir de la matrice receveuse sur l'unité de mémoire sélectionnée. L'unité de mémoire sélectionnée est désignée à la matrice donneuse comme ayant été donnée avant que l'information perdue ne soit reconstituée sur l'unité de mémoire sélectionnée. La distance de Hamming minimum de la matrice receveuse est d = 2 avant que la matrice donneuse soit sélectionnée parmi le groupe des matrices.

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