Light-emitting diode with planar omni-directional reflector

H - Electricity – 01 – L

Patent

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Details

H01L 33/60 (2010.01) H01L 33/06 (2010.01)

Patent

CA 2470095

A high extraction efficiency, light-emitting diode having a reflective submount and methods for forming the LED. A light-emitting region is disposed between a top contact and a conductive holder. The region Extends beyond an area underlying the top contact. An omni-directional reflector is disposed between the light-emitting region and the conductive holder. According to one embodiment, The reflector comprises one or more electrically conductive contacts configured to correspond to an area beyond the area underlying the top contact. According to one embodiment, The reflector comprises a dielectric layer having a refractive index of between about 1.0 and 2.25, contacts extending through the reflector, and a reflective conductive film.

L'invention concerne une diode électroluminescente à rendement élevé d'extraction comprenant une embase réfléchissante et des procédés de fabrication de la DEL. Une région électroluminescente est disposée entre un contact supérieur et un support conducteur. La région s'étend au-delà d'une zone située au-dessous du contact supérieur. Un réflecteur omnidirectionnel est disposé entre la région électroluminescente et le support conducteur. Selon un mode de réalisation, le réflecteur comprend un ou plusieurs contacts électriquement conducteurs conçus pour correspondre à une zone située au-delà de la zone se trouvant au-dessous du contact supérieur. Selon un mode de réalisation, le réflecteur comprend une couche diélectrique possédant un indice de réfraction compris entre environ 1,0 et 2,25, des contacts s'étendant à travers le réflecteur et un film conducteur réfléchissant.

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