H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 43/12 (2006.01) H01L 21/8246 (2006.01)
Patent
CA 2716630
In a particular illustrative embodiment, a method of forming a magnetic tunnel junction (MTJ) device is disclosed that includes forming a trench (1514) in a substrate (1400). The method further includes depositing a magnetic tunnel junction (MTJ) structure (1516) within the trench. The MTJ structure includes a bottom electrode (1518), a fixed layer, a tunnel barrier layer, a free layer, and a top electrode (1522). The method also includes planarizing the MTJ structure. In a particular example, the MTJ structure is planarized using a Chemical Mechanical Planarization (CMP) process.
Dans un mode de réalisation illustratif particulier, l'invention porte sur un procédé consistant à former un dispositif à jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) qui comprend la formation d'une tranchée (1514) dans un substrat (1400). Le procédé comprend en outre le dépôt d'une structure à jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) (1516) à l'intérieur de la tranchée. La structure MTJ comprend une électrode inférieure (1518), une couche fixe, une couche barrière à effet tunnel, une couche libre et une électrode supérieure (1522). Le procédé comprend également la planarisation de la structure MTJ. Dans un exemple particulier, la structure MTJ est planarisée à l'aide d'un processus de planarisation chimico-mécanique (CMP).
Qualcomm Incorporated
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1796360