H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/026 (2006.01) G02F 2/00 (2006.01) H04B 10/145 (2006.01) H01S 5/00 (2006.01) H01S 5/0625 (2006.01) H01S 5/227 (2006.01) H01S 5/50 (2006.01)
Patent
CA 2380374
A semiconductor tunable laser (10) and an interferometer (12) coupled to the tunable laser (10) are monolithically fabricated in a semiconductor heterostructure. The laser also comprises a buried ridge stripe waveguide laser. The interferometer (12) has a semiconductor optical amplifier (38) coupled in each arm. A cross-gain semiconductor optical amplifier converter is coupled to the interferometer (12). The semiconductor optical amplifier (38) coupled in each arm is biased so that an optical path length difference between the two arms is in antiphase which results in destructive interference. The output of the tunable laser (10) is coupled to a coupler. A semiconductor optical amplifier (38) is used as a gain controller for the semiconductor optical amplifiers in the interferometer (12) to allow wavelength conversion over a larger range of input signal powers. The heterostructure substrate comprises a low bandgap waveguide layer and thinner multi-quantum well active regions disposed above the low bandgap waveguide layer. The heterostructure substrate has nonabsorbing passive elements formed therein by selectively removing the quantum wells regions above the waveguide layer to allow formation of active and passive sections in the waveguide layer without having to perform a butt joint regrowth. The invention is also characterized as a method of fabricating an integrated optical device as disclosed above in the heterostructure substrate.
L'invention concerne un laser accordable (10) à semi-conducteur et un interféromètre (12), couplé au laser accordable (10), fabriqués de façon monolithique dans une hétérostructure à semi-conducteur. Le laser comprend également un laser en guide d'onde à ruban enterré. L'interféromètre (12) possède un amplificateur optique (38) à semi-conducteur couplé à chaque bras. Un convertisseur d'amplificateur optique à semi-conducteur à gain transversal est couplé à l'interféromètre (12). L'amplificateur optique (38) à semi-conducteur couplé à chaque bras est polarisé de façon que la différence de longueur d'un parcours optique entre les deux bras soit en opposition de phase et provoque une interférence destructive. La sortie du laser accordable (10) est couplée à un coupleur. Un amplificateur optique (38) à semi-conducteur sert de régulateur de gain pour les amplificateurs optiques à semi-conducteur de l'interféromètre (12), permettant d'effectuer une conversion de longueur d'onde sur une gamme étendue de puissances de signaux d'entrée. Le substrat de l'hétérostructure comprend une couche guide à faible structure de bande et des régions actives à puits quantique multiple plus minces situées au-dessus de la couche guide à faible structure de bande. Le substrat de l'hétérostructure comprend des éléments passifs non absorbants formés par élimination sélective des régions à puits quantique au-dessus de la couche guide, permettant la formation de sections actives et passives dans la couche guide sans avoir à effectuer une reformation par raccord à bride lisse. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif optique intégré tel que celui décrit plus haut dans le substrat de l'hétérostructure.
Blumenthal Daniel J.
Fish Gregory A.
Mason Thomas Gordon Beck
Smart & Biggar
The Regents Of The University Of California
LandOfFree
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