H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 23/62 (2006.01) H01L 23/64 (2006.01)
Patent
CA 2373752
A method for manufacturing a silicon bipolar power high frequency transistor device is disclosed. A transistor device according to the present method is also disclosed. The transistor device assures conditions for maintaining a proper BVCER to avoid collector emitter breakdown during operation. According to the method an integrated resistor (20) is arranged along at least one side of a silicon bipolar transistor (1) on a semiconductor die which constitutes a substrate for the silicon bipolar transistor. The integrated resistor is connected between the base and emitter terminals of the silicon bipolar transistor (1). The added integrated resistor (20) is a diffused p+ resistor on said semiconductor die or a polysilicon or NiCr resistor placed on top of the isolation layers. In an interdigitated transistor structure provided with integrated emitter ballast resistors the added resistor or resistors (20) will be manufactured in a step simultaneously as producing the ballast resistors.
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor HF de puissance bipolaire à silicium et le transistor ainsi obtenu. Ce dernier remplit les conditions pour maintenir un BVcer correct afin d'éviter le claquage du collecteur-émetteur en cours de fonctionnement. Selon le procédé, une résistance intégrée (20) est disposée le long d'au moins un côté du transistor bipolaire au silicium (1) sur une matrice de semi-conducteur constituant un substrat pour le transistor bipolaire au silicium. La résistance intégrée est connectée entre la base et les bornes de l'émetteur du transistor bipolaire au silicium (1). La résistance intégrée ajoutée (20) est une résistance p+ diffusée sur la matrice de semi-conducteur ou un polysilicium ou une résistance NiCr placée sur les couches d'isolation. Dans une structure de transistor internumérisé pourvue de résistances intégrées de ballast émetteur, la(les) résistance(s) ajoutée(s) (20) est(sont) fabriquées en même temps que la production de résistances de ballast.
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1806787