H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/146 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01)
Patent
CA 2546310
The invention relates to the production of colour image sensors on a thinned silicon substrate. According to the invention, one such sensor is produced from a semiconductive wafer (10) comprising a thin active layer (12) on the front face thereof, consisting of a semiconductor material. To this end, layers are etched on the active layer, the wafer is transferred onto a transfer substrate (40) with the front face thereof, the rear face of the semiconductive wafer is thinned, and layers of material are deposited and etched onto the thus thinned rear face. Vertical narrow trenches (20, 22, 24, 26) are forged into the wafer on the front face thereof before it is transferred onto the transfer substrate, said trenches extending inside the wafer at a depth roughly equal to the residual thickness of semiconductive wafer remaining following the thinning operation, and the trenches are filled with a conductive material insulated from the active layer and forming conductive vias (20', 22', 24', 26') between the front face and the rear face of the thinned layer. The trenches are used to establish electrical connections between the front face and the rear face of the thinned wafer. They can also be used as marks for aligning the motifs of the front face with those on the rear face, and can be used to electrically insulate active layer regions from each other.
L~invention concerne la fabrication de capteurs d~image en couleur réalisés sur un substrat de silicium aminci. On fabrique le capteur à partir d~une tranche semiconductrice (10) comportant sur sa face avant une couche active mince (12) en matériau semiconducteur, et pour cela on réalise des couches gravées sur la couche active, le report de la tranche par sa face avant sur un substrat de report (40), l~amincissement de la tranche semiconductrice par sa face arrière, puis le dépôt, et la gravure de couches de matériaux sur la face arrière ainsi amincie. On prévoit également que des tranchées verticales étroites (20, 22, 24, 26) son creusées dans la tranche par sa face avant, avant l~operation de report, ces tranchées s~étendant à l~intérieur de la tranche sur une profondeur à peu près égale à l~épaisseur résiduelle de tranche semiconductrice qui subsistera après l~operation d~amincissement, les tranchées étant remplies d~un matériau conducteur isolé de la couche active et constituant des vias conducteurs (20~, 22~, 24~, 26~) entre la face avant et la face arrière de la couche amincie. Les tranchées servent à établir des connexions électriques entre la face avant et la face arrière de la tranche amincie. Elles peuvent aussi servir de marques d~alignement des motifs de la face avant sur ceux de la face arrière. Elles peuvent enfin servir à isoler électriquement des zones de couches actives les unes par rapport aux autres.
Atmel Grenoble
E2v Semiconductors
Robic
LandOfFree
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