Semiconducting polymer field effect transistor

Details Semiconducting polymer field effect transistor Semiconducting polymer field effect transistor

H - Electricity

01

L

H01L 51/30 (2006.01)

Patent

CA 2355869

A field effect transistor is made of five parts. The first part is an insulator layer, the insulator layer being an electrical insulator such as silica, the insulator layer having a first side and a second side. The second part is a gate, the gate being an electrical conductor such as silver, the gate being positioned on the first side of the insulator layer. The third part is a semiconductor layer, the semiconductor layer including a polymer, at least ten weight percent of the monomer units of the polymer being a 9-substituted fluorene unit and/or a 9,9-substituted fluorene unit, the semiconductor layer having a first side, a second side, a first end and a second end, the second side of the semiconductor layer being on the second side of the insulator layer. The fourth part is a source, the source being an electrical conductor such as silver, the source being in electrical contact with the first end of the semiconductor layer. The fifth part is a drain, the drain being an electrical conductor such as silver, the drain being in electrical contact with the second end of the semiconductor layer. A negative voltage bias applied to the gate causes the formation of a conduction channel in the semiconductor layer from the source to the drain. On the other hand, a positive bias applied to the gate causes the formation of an electron conducting channel in the semiconductor layer.

Un transistor à effet de champ comporte cinq éléments. Le premier élément est une couche isolante faite d'un isolant électrique, par exemple le silicium, et possède un premier et un second côtés. Le deuxième élément est une porte faite d'un conducteur électrique, par exemple l'argent, est posé sur le premier côté de la couche isolante. Le troisième élément est une couche semi-conductrice comprenant un polymère dont au moins 10 pour cent en poids des unités monomères sont un fluorène 9-substitué et/ou un fluorène 9,9-substituté. Ladite couche semi-conductrice possède un premier et un second côtés ainsi qu'une première et une seconde extrémités. Le second côté de la couche semi-conductrice est posé sur le second côté de la couche isolante. Le quatrième élément, une source faite d'un conducteur électrique, par exemple l'argent, est en contact électrique avec la première extrémité de la couche semi-conductrice. Le cinquième élément est un drain fait d'un conducteur électrique, par exemple l'argent, est en contact électrique avec la seconde extrémité de la couche semi-conductrice. Une polarisation de tension négative, appliquée à la porte, provoque la formation d'un canal de conduction dans la couche semi-conductrice, de la source au drain. Par ailleurs, une polarisation positive appliquée à la porte provoque la formation d'un canal conducteur d'électrons dans la couche semi-conductrice.

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