H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/0216 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)
Patent
CA 2660402
An intermediate film is provided between the front contact and an absorbing semiconductor film of a photovoltaic device. The intermediate film may be discrete or refractive index graded in certain example embodiments of this invention. The refractive index (n) of the intermediate film is tuned to satisfy one or more of: (a) reduce optical reflection of solar radiation from the TCO/absorber interface thereby enhancing the amount of radiation which penetrates the absorber and which can be converted into electrical energy, (b) increase the amount of radiation trapped within the absorber, (c) reduce cross-diffusion of elements between the TCO of the front contact and the absorbing semiconductor film, and/or- (d) form a high resistivity buffer layer (HRBL) between the front contact TCO and the absorber film.
L'invention concerne un film intermédiaire situé entre un contact avant et un film semi-conducteur absorbant d'un dispositif photovoltaïque. Le film intermédiaire peut être gradué discrètement ou par indice de réfraction dans certains modes de réalisation de l'invention. L'indice de réfraction (n) du film intermédiaire est mis au point de manière à satisfaire l'un des critères suivants: (a) réduction de la réflexion optique du rayonnement solaire de l'interface oxyde conducteur transparent (TCO)/ absorbeur tout en améliorant la quantité de rayonnement qui pénètre dans l'absorbeur et qui peut être converti en énergie électrique, (b) amélioration de la quantité de rayonnement capturée à l'intérieur de l'absorbeur, (c) réduction de la diffusion transversale d'éléments entre l'oxyde conducteur transparent du contact avant et du film semi-conducteur absorbant, et/ou (d) formation d'une couche tampon à résistivité élevée entre l'oxyde conducteur transparent du contact avant et le film absorbeur.
Guardian Industries Corp.
Macpherson Leslie & Tyerman Llp
LandOfFree
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