Light emitting and lasing semiconductor devices and methods

Details Light emitting and lasing semiconductor devices and methods Light emitting and lasing semiconductor devices and methods

H - Electricity

01

S

H01S 5/00 (2006.01) H01S 5/30 (2006.01)

Patent

CA 2748597

A semiconductor light emitting device, including: a heterojunction bipolar ligh- temitting transistor having a base region between emitter and collector regions; emitter, base, and collector electrodes for coupling electrical signals with the emitter, base, and collector regions, respectively; and a quantum size region in the base region; the base region including a first base sub- region on the emitter side of the quantum size region, and a second base sub-region on the collector side of the quantum size region; and the first and second base sub- regions having asymmetrical band structures. Also disclosed is a method for producing light emission from a two-terminal semiconductor structure, including the following steps: providing a semiconductor structure that includes a first semiconductor junction between an emitter region of a first conductivity type and a base region of a second conductivity type opposite to that of the first conductivity type, and a second semiconductor junction between the base region and a drain region; providing, within the base region, a region exhibiting quantum size effects; providing an emitter electrode coupled with the emitter region; providing a base/drain electrode coupled with the base region and the drain region; and applying signals with respect to the emitter and base/drain electrodes to obtain light emission from the semiconductor structure.

L'invention concerne un dispositif semi-conducteur émetteur de lumière comprenant : un transistor émetteur de lumière bipolaire à hétérojonction comportant une zone de base entre des zones d'émetteur et de collecteur ; des électrodes d'émetteur, de base et de collecteur pour le couplage des signaux électriques vers les zones d'émetteur, de base et de collecteur, respectivement ; et une zone de taille quantique dans la zone de base ; la zone de base comprenant une première sous-zone de base du côté de l'émetteur de la zone de taille quantique et une seconde sous-zone de base du côté du collecteur de la zone de taille quantique ; et les première et seconde sous-zones de base présentant des structures de bande asymétriques. Elle concerne aussi un procédé de production d'émission de lumière à partir d'une structure semi-conductrice à deux bornes, dont les étapes consistent : à réaliser une structure semi-conductrice qui comprend une première jonction semi-conductrice entre une zone d'émetteur d'un premier type de conductivité et une zone de base d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité, et une seconde jonction semi-conductrice entre la zone de base et une zone de drain ; à réaliser, dans la zone de base, une zone présentant des effets de taille quantique ; à réaliser une électrode d'émetteur couplée à la zone d'émetteur ; à réaliser une électrode de base/drain couplée à la zone de base et à la zone de drain ; et à appliquer des signaux par rapport aux électrodes d'émetteur et de base/drain pour obtenir l'émission de lumière depuis la structure semi-conductrice.

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