Semiconductor photodetector with internal reflector

Details Semiconductor photodetector with internal reflector Semiconductor photodetector with internal reflector

H - Electricity

01

L

H01L 31/0232 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) H01L 31/0352 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)

Patent

CA 2501420

A photodetector comprises a semiconductor substrate with entrance and reflecting faces formed at the substrate upper surface. The reflecting face forms an acute angle with the substrate surface and is positioned so that an optical beam transmitted through the entrance face into the substrate is internally reflected from the reflecting face toward the substrate upper surface. A photodetector active region is formed on the substrate upper surface and is positioned so that the reflected optical beam impinges on the active region. The photodetector may be mounted on a second substrate for receiving an optical beam from a planar waveguide formed on the second substrate or an optical fiber mounted in a groove on the second substrate.

L'invention porte sur un photodétecteur comprenant un substrat à semi-conducteurs pourvu de faces d'admission et de réflexion formées au niveau de la surface supérieure du substrat. La face réfléchissante forme un angle aigu avec la surface du substrat et est positionnée de sorte que le faisceau optique transmis par la face d'admission dans le substrat soit réfléchi, de manière interne, de la face réfléchissante vers la surface supérieure du substrat. Une région active du photodétecteur est formée sur la surface supérieure du substrat et est positionnée de sorte que le faisceau optique réfléchi arrive sur la région active. Le photodétecteur peut être monté sur un second substrat pour la réception d'un faisceau optique provenant d'un guide d'onde plan formé sur le second substrat ou d'une fibre optique montée dans une rainure du second substrat.

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