H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/268 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
Patent
CA 2374057
A method and system for processing an amorphous silicon thin film sample to produce a large grained, grain boundary-controlled silicon thin film. The film sample includes a first edge and a second edge. In particular, using this method and system, an excimer laser is used to provide a pulsed laser beam, and the pulse laser beam is masked to generate patterned beamlets, each of the patterned beamlets having an intensity which is sufficient to melt the film sample. The film sample is continuously scanned at a first constant predetermined speed along a first path between the first edge and the second edge with the patterned beamlets. In addition, the film sample is continuously scanned at a second constant predetermined speed along a second path between the first edge and the second edge with the patterned beamlets.
Procédé et système servant à traiter une couche mince de silicium amorphe sous forme de spécimen afin de produire une couche mince de silicium présentant des grains importants dont les limites sont définies. Ce spécimen comprend un premier bord et un deuxième bord. Ce procédé et ce système mettent, en particulier, en application un laser excimère afin de produire un faisceau laser pulsé et ce dernier est masqué afin de générer de petits faisceaux de configuration déterminée dont chacun possède une intensité suffisante pour effectuer la fusion du spécimen. Celui-ci est balayé en continu à une première vitesse constante prédéterminée le long d'un premier trajet entre le premier bord et le deuxième bord au moyen des petits faisceaux de configuration définie. De plus, ce spécimen est balayé en continu à une deuxième vitesse constante prédéterminée le long d'un deuxième trajet entre le premier bord et le deuxième bord au moyen des petits faisceaux de configuration déterminée.
Smart & Biggar
The Trustees Of Columbia University
LandOfFree
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