C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 31/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
Patent
CA 2557611
Disclosed is a method for producing carbon nanostructures which enables to stably produce carbon nanostructures having more uniform shapes with high purity. Specifically disclosed is a method for producing a carbon nanostructure (18) wherein a carbon crystal is grown on a crystal growth surface (17) of a catalyst base (14) containing a catalyst material (12) through vapor phase deposition, in particular a method wherein two or more kinds of gases including a raw material gas are brought into contact with the catalyst base (14) at the same time. The two or more kinds of gases may preferably be one or more kinds of raw material gases and one or more kinds of carrier gases. It is preferable that the carrier gas is brought into contact with the crystal growth surface (17), and the raw material gas is brought into contact with at least a part of regions other than the crystal growth surface (17) with which the carrier gas is in contact. The raw material gas may preferably contain ions, especially carbon ions.
Il est décrit un procédé de fabrication de nanostructures carbonées qui permet de fabriquer de façon stable des nanostructures carbonées présentant des formes plus uniformes avec une grande pureté. Il est en particulier décrit un procédé de fabrication d'une nanostructure carbonée (18) dans laquelle un cristal de carbone est mis à croître sur une surface de croissance de cristal (17) d'une base de catalyseur (14) contenant un matériau catalyseur (12) par l'intermédiaire d'un dépôt en phase vapeur, en particulier un procédé dans lequel deux ou plusieurs types de gaz comprenant un gaz de matériau brut sont amenés en contact avec la base de catalyseur (14) au même moment. Les deux et plusieurs types de gaz peuvent être de préférence d'un ou de plusieurs types de gaz de matériau brut et d'un ou de plusieurs types de gaz porteurs. Il est préférable que le gaz porteur soit mis en contact avec la surface de croissance de cristal (17) et que le gaz de matériau brut soit mis en contact avec au moins une partie de zones différentes de la surface de croissance de cristal (17) avec laquelle est en contact le gaz porteur. Le gaz de matériau brut peu de préférence contenir des ions, en particulier des ions carbonés.
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1891275