H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/4763 (2006.01) C23C 14/02 (2006.01) C23C 14/16 (2006.01)
Patent
CA 2468806
A plurality of successive layers are firmly adhered to one another and to a wafer surface and an electrical component or sub-assembly even when the wafer surface is not even and the layers are bent. The wafer surface is initially cleaned by an ion bombardment of an inert gas (e.g. argon) on the wafer surface in an RF discharge at a relatively high gas pressure. The wafer surface is then provided with a microscopic roughness by applying a low power so that the inert gas (e.g. argon) ions do not have sufficient energy to etch the surface. A layer of chromium is then sputter deposited on the wafer surface as by a DC magnetron with an intrinsic tensile stress and low gas entrapment by passing a minimal amount of the inert gas through the magnetron and by applying no RF bias to the wafer. The chromium layer is atomatically bonded to the microscopically rough wafer surface. A layer of nickel-vanadium alloy is deposited on the chromium layer and a layer of a metal selected from the group consisting of gold, silver and copper is deposited on the nickel- vanadium layer. The nickel-vanadium layer is deposited between the chromium layer and the metal layer with an intrinsic compressive stress by applying an RF bias to the wafer to neutralize the intrinsic tensile stress of the chromium layer and any intrinsic stress of the metal layer.
La présente invention permet de faire adhérer fermement une pluralité de couches successives entre elles et sur la surface d'une plaquette et sur un composant ou sous-ensemble électrique même lorsque la surface de la plaquette n'est pas régulière et que les couches ne sont pas lisses. Selon le procédé de l'invention, on nettoie d'abord la surface de la plaquette par bombardement ionique d'un gaz inerte (par exemple, l'argon) sur la surface de la plaquette par décharge RF à une pression de gaz relativement élevée. On forme alors à la surface de la plaquette des irrégularités microscopiques en appliquant une faible puissance de sorte que les ions de gaz inerte (par exemple, l'argon) n'ont pas assez d'énergie pour graver la surface. On dépose ensuite par pulvérisation cathodique une couche de chrome sur la surface de la plaquette au moyen d'un magnétron à courant continu avec une contrainte de traction intrinsèque et une faible présence de gaz en faisant passer une quantité minimale de gaz inerte dans le magnétron et en n'appliquant pas de polarisation RF à la plaquette. La couche de chrome se lie automatiquement à la surface de la plaquette présentant des irrégularités microscopiques. On dépose une couche d'un alliage de nickel et de vanadium sur la couche de chrome, et une couche d'un métal choisi dans le groupe composé de l'or, de l'argent et du cuivre sur la couche de nickel-vanadium. On dépose la couche de nickel-vanadium entre la couche de chrome et la couche métallique avec une contrainte de compression intrinsèque en appliquant une polarisation RF à la plaquette afin de neutraliser la contrainte de tension intrinsèque de la couche de chrome et toute contrainte intrinsèque de la couche métallique.
Smart & Biggar
Sputtered Films Inc.
LandOfFree
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