C - Chemistry – Metallurgy – 04 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
04
B
167/326, 6/38, 1
C04B 35/80 (2006.01) A61L 27/00 (2006.01) C04B 41/45 (2006.01) C04B 41/50 (2006.01) C04B 41/81 (2006.01) C04B 41/85 (2006.01) C09K 3/14 (2006.01) C23C 16/04 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/54 (2006.01)
Patent
CA 2271678
Disclosed is a method for chemical vapour infiltration (CVI) of refractory substances, especially an isothermic, isobaric method of CVI, especially of carbon (C) and silicon carbide (SiC), based on diffusion in a porous structure, whereby the pressure of the gas or partial pressure of an educt gas contained in the gas and the dwell time of the gas in the reaction zone are set at a given temperature in the reaction zone so that a separation reaction occurs in the porous structure in the area of pressure or partial pressure of the saturation adsorption of the gaseous and volatile compounds forming the solid phase. Saturation adsorption means that the separation speed remains substantially constant at an increased pressure of the gas or the partial pressure of the educt gas and the reaction of the educt gas is limited in such a way that no more than 50 % of the elements supplied in the educt gas forming the solid phase as it flows through the reaction zone are separated as a solid phase in the porous structure. The flow through the porous structure occurs in a straight line from bottom to top via slits substantially similar in width, ranging from 1-50 mm.
L'invention concerne un procédé d'infiltration chimique en phase vapeur de matières réfractaires, notamment un procédé appliqué dans des conditions isothermes et isobares, fondé sur la diffusion dans la structure poreuse, en particulier de carbone (C) et de carbure de silicium (SiC). Selon ce procédé, à une température prédéterminée dans la zone de réaction, la pression du gaz ou la pression partielle d'un gaz d'éduit contenu dans le gaz, ainsi que le temps de séjour du gaz dans la zone de réaction sont fixés de sorte qu'une réaction de séparation se produise dans la structure poreuse, dans la zone de pression ou de pression partielle de l'adsorption de saturation des composés gazeux et volatils formant la phase solide. L'adsorption de saturation signifie que, lors d'une élévation de la pression du gaz ou de la pression partielle du gaz d'éduit, la vitesse de séparation reste pratiquement constante, et la réaction du gaz d'éduit est limitée de sorte que, lors du passage du gaz à travers la zone de réaction, une proportion inférieure à 50 % des éléments formant la phase solide, acheminés dans le gaz d'éduit, est séparée sous forme de phase solide dans la structure poreuse. L'écoulement à travers la structure poreuse s'effectue de façon linéaire de bas en haut à travers des fentes de largeur pratiquement égale, comprise entre 1 et 50 mm.
Benzinger Walther
Huttinger Klaus J.
Bereskin & Parr Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Sintec Keramik Gmbh & Co. Kg
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1934728